2025年11月25日，中國(guó)科學(xué)院納米能源所翟俊宜研究員應(yīng)邀來(lái)我校開(kāi)展學(xué)術(shù)交流，并作題為《壓電（光）電子學(xué)效應(yīng)及器件》的學(xué)術(shù)報(bào)告。
翟俊宜首先介紹了壓電電子學(xué)、壓電光電子學(xué)及撓曲電子學(xué)器件的設(shè)計(jì)原理，并明確了通過(guò)外部應(yīng)變調(diào)控半導(dǎo)體載流子行為的核心邏輯。他聚焦氮化鎵Piezo-HEMT器件，深入解析了壓電效應(yīng)優(yōu)化器件性能的物理機(jī)制，講解了基于壓電光電子學(xué)的全光力學(xué)傳感器及其在細(xì)胞力成像方面的應(yīng)用。最后，他闡述了壓電電子學(xué)中的力電磁多場(chǎng)耦合機(jī)制以及撓曲電子學(xué)器件的研究進(jìn)展。
報(bào)告結(jié)束后，翟俊宜與現(xiàn)場(chǎng)師生就相關(guān)問(wèn)題進(jìn)行了深入研討交流。（集成電路學(xué)院 通訊員：趙國(guó)棟）
